姜勇教授简历

发布时间:2020-10-12文章来源:材料科学与工程学院浏览:74

勇,教授、博士生导师、国家杰出青年基金获得者、教育部长江学者奖励计划特聘教授、教育部创新团队负责人。曾任北京科技大学材料科学与工程学院院长、太原科技大学副校长(挂职),现任天津工业大学副校长、北京市弱磁检测与应用工程技术研究中心主任、北京市弱磁检测与应用技术国际合作基地负责人、山西省磁电功能材料重点实验室主任。还担任《International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials》,《Scientific Reports》,《Journal of Materials Science & Technology》,《Nanosciences and Nanotechnologies: An International Journal 》、《Rare Metals》、《工程科学学报》、《材料科学与工艺》、《金属功能材料》、《稀有金属》、《中国材料进展》、《中国测试》等期刊编委、《太原科技大学学报》执行主编、国家新材料产业发展战略咨询委员会委员、美国电气与电子工程学会(IEEE)高级会员、中国仪表功能材料分会副理事长、中国材料研究学会常务理事、中国电子学会应用磁学分会委员会常务委员、中国稀土学会固体科学与新材料专业委员会委员、中国金属学会功能材料分会委员会委员、中国物理学会磁学专业委员会委员等。                                      

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至今在Nature MaterialsNature NanotechnologyAdvanced MaterialsNature communications等国内外学术期刊上发表论文292篇,其中影响因子10以上期刊论文10篇、7以上期刊论文24篇,3以上期刊论文96篇,文章被SCI他引3000次;与他人合作发表英文专著(章节)3本;在国际会议做特邀报告40篇次;申请发明专利18项,获得授权14项。主要的创新性工作集中在自旋电子材料与器件的研究方面,在自旋转矩方面的研究结果被至少10部外文专著正面引用。该结果还被收录到2005年度的《国际半导体技术蓝图》(ITRS) 中。

主要承担项目(>100万)

1.“准一维半导体纳米结构的光电性质” (项目号2007CB936202),科技部重大研究计划课题,经费710.4万,起止年月为20071月至201112月,项目负责人;

2. 垂直各向异性磁性薄膜的磁电性能研究”,国家自然科学基金重点项目(批准号50831002),经费160万,起止年月为20091月至201212月,项目负责人;

3.“纳米材料的可控制备、性能调控及器件构筑”,北京市新材料学科群项目,经费200万,起止年月为20101月至201012月,项目负责人;

4.“纳米材料与器件物理学”,北京市重点交叉学科项目,经费300万,2008-2013,项目负责人;

5. “环栅半导体纳米线超高频器件的基础研究” (项目号2012CB932702),科技部重大研究计划(纳米专项),经费150万,起止年月为20121月至20168月,子课题负责人;

6.  “低维功能材料”编号IRT1106,经费300万,资助期限2012-2014年,2015-2017年(滚动支持),教育部长江学者创新团队,负责人;

7.   “用于极弱磁信号检测的新型磁电子元件的研究”,北京市教委共建项目,120万,资助期限2012.1-2012.12,负责人;

8.  “金属磁性材料”,国家杰出青年基金(批准号51325101),经费320万元,起止年月为20141月至201712月,项目负责人;

9.   “高频微波与磁振子激发及相关畴壁动力学”(项目号2015CB921502),科技部重大研究计划(量子调控)课题,经费690万,起止年月为20151月至20198月,负责人。

10.  高灵敏纳米隧道结磁敏传感器中试技术开发”,北京市科委项目,900万,起止年月为20166月至20185月,负责人。

11.    “铁磁/非磁金属异质结中自旋流的产生、调控及器件应用”(项目号51731003),国家自然科学基金重点项目,直接经费324万,起止年月为20181月至202212月,负责人。

12. “多场环境下工作的高分辨磁力显微镜和高精度电输运测量的组合系统”(项目号51927802),国家自然科学基金,国家重大科研仪器研制项目,直接经费717万,起止年月为20201月至202412月,负责人。

13.  “高性能磁传感器与磁码盘材料及制造工艺技术研究”(项目号2019YFB2005801),国家重点研发计划,直接经费121万,起止年月20201月至202212月,子课题负责人。


近三年代表性论文

  1. Q. B. Liu, K. K. Meng*, S. Q. Zheng, J. K. Chen, J. Miao, X. G. Xu, Y. Jiang*, “Robust spin-orbit torques in ferromagnetic multilayers with weak bulk spin Hall effect”, Appl. Phys. Lett. 117, 122401(2020).

  2. L. B. Zhu, X. G. Xu*, M. X. Wang, K. K. Meng, Y. Wu, J. K. Chen, J. Miao, Y. Jiang*, “Spin Orbit Torque Induced Multiple Magnetization Switching Behaviors in Synthetic Antiferromagnets”, Appl. Phys. Lett. 117, 112401(2020).

  3. Z. Y. Zhang, Z. P. Li*, K. K. Meng, Y. Wu, J. K. Chen, X. G. Xu, Y. Jiang*, “Perpendicular magnetic anisotropy in SrTiO3/Co/Pt films induced by oxygen diffusion from CaTiO3 spacer layer”, Appl. Phys. Lett. 116, 232402(2020).

  4. M. X. Wang, Q. Guo, X. G. Xu*, Z. Y. Zhang, Z. Y. Ren, L. B. Zhu, K. K. Meng, J. K. Chen, Y. Wu, J. Miao, Y. Jiang*, “Lateral Electric-Field-Controlled Perpendicular MagneticAnisotropy and Current-Induced Magnetization Switchingin Multiferroic Heterostructures”, Adv. Electron. Mater. 2000229(2020).

  5. Q. B. Liu, K. K. Meng*, Z. D. Xu, T. Zhu, X. G. Xu, J. Miao, Y. Jiang*, “Unusual anomalous Hall effect in perpendicularly magnetized YIG films with a small Gilbert damping constant”, Phys. Rev. B 101, 174431(2020).

  6. Z. Y. Ren, M. X. Wang, P. F. Liu, Q. Liu, K. Y. Wang, G. Jakob, J. K. Chen, K. K. Meng, X. G. Xu, J. Miao*, Y. Jiang*, “Spin Logical and Memory Device Based on the NonvolatileFerroelectric Control of the Perpendicular MagneticAnisotropy in PbZr0.2Ti0.8O3/Co/Pt Heterostructure”, Adv. Electron. Mater. 2000102(2020).

  7. Z. Y. Ren, F. Shao, P. F. Liu, M. X. Wang, J. K. Chen, K. K. Meng, X. G. Xu, J. Miao*, Y. Jiang*, “Nonvolatile Ferroelectric Field Control of the Anomalous Hall Effect in BiFeO3/SrRuO3 Bilayer”, Phys. Rev. Appl. 13(2), 024044(2020).

  8. J. K. Chen*, W. Mao, L. Gao, F. B. Yan, T. Yajima, N. F. Chen*, Z. Z. Chen, H. L. Dong, B. H. Ge, P. Zhang, X. Z. Cao, M. Wilde, Y. Jiang*, T. Terai, J. Shi*, Electron-doping Mattonics in strongly correlated perovskite, Adv. Mater. 32(6), 1905060(2020).

  9. K. K. Meng*, L. J. Zhu, Z. H. Jin, E. K. Liu, X. P. Zhao, I. A. Malik, Z. G. Fu, Y. Wu, J. Miao, X. G. Xu, J. X. Zhang, J. H. Zhao, Y. Jiang*, “Interface-driven unusual anomalous Hall effect in MnxGa/Pt bilayers”, Phys. Rev. B 100, 184410(2019).

  10. P. F. Liu, J. Miao*, Q. Liu, Z. D. Xu, Z. Y. Ren, K. K. Meng, Y. Wu, J. K. Chen, X. G. Xu, Y. Jiang*, “Tuning effective spin Hall angles via oxygen vacancies in multiferroic BiFeO3 based heterostructures”, Adv. Electron. Mater. 5(10), 1900435(2019).

  11. Jikun Chen*, Wei Mao, Binghui Ge, Jiaou Wang, Xinyou Ke, Vei Wang, Yiping Wang, Max Doebeli, Wen-Tong Geng, Hiroyuki Matsuzaki, Jian Shi*, and Yong Jiang*, “Revealing the role of lattice distortions in the hydrogen-induced metal-insulator transition of SmNiO3, Nat. Commun. 10, 694(2019).

  12. Jikun Chen*, Haiyang Hu, Jiaou Wang, Takeaki Yajima, Binghui Ge, Xinyou Ke, Hongliang Dong, Yong Jiang* and Nuofu Chen*, “Overcoming synthetic metastabilities and revealing metal-to-insulator transition & thermistor bi-functionalities for d-band correlation perovskite nickelates”, Mater. Horiz. 6, 788(2019).

  13. P. F. Liu, J. Miao*, Z. D. Xu, G. Jakob, Q. Liu, Z. Y. Ren, K. K. Meng, Y. Wu,J. K. Chen, X. G. Xu, and Y. Jiang*, “Large modulation of perpendicular magnetic anisotropy in a BiFeO3/Al2O3/Pt/Co/Pt multiferroic heterostructure via spontaneous polarizations”, Appl. Phys. Lett. 113, 062401 (2018).

  14. Y. Ji, J. Miao, Y. M. Zhu, K. K. Meng, X. G. Xu, J. K. Chen, Y. Wu, and Y. Jiang*, “Negative spin Hall magnetoresistance in antiferromagnetic Cr2O3/Ta bilayer at low temperature region”, Appl. Phys. Lett. 112, 232404 (2018).

  15. K. K. Meng*, X. P. Zhao, P. F. Liu, Q. Liu, Y. Wu, Z. P. Li, J. K. Chen, J. Miao, X. G. Xu, J. H. Zhao, Y. Jiang*, “Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers”, Phys. Rev. B, 97, 060407(R) (2018).

  16. Q. B. Liu, K. K. Meng, Y. Z. Cai, X. H. Qian, Y. C. Wu, S. Q. Zheng, Y. Jiang*, “Modulated spin orbit torque in a Pt/Co/Pt/YIG multilayer by nonequilibrium proximity effect”, Appl. Phys. Lett. 112, 022402(2018).